Критические токи в тонких YBa 2 Cu 3 O 7-x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 Мэ

Автор(и)

  • Ю. В. Федотов Институт физики НАН Украины, Украина, 03650, г. Киев, пр. Науки, 46
  • С. М. Рябченко Институт физики НАН Украины, Украина, 03650, г. Киев, пр. Науки, 46
  • А. П. Шахов Институт физики НАН Украины, Украина, 03650, г. Киев, пр. Науки, 46

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1306399

Ключові слова:

PACS: 74.72.Bk, 74.76.Bz, 74.25.Ha

Анотація

Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa2Cu3O7-x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-сверхпроводник.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-07-10

Як цитувати

(1)
Федотов, Ю. В.; Рябченко, С. М.; Шахов, А. П. Критические токи в тонких YBa 2 Cu 3 O 7-x ВТСП пленках, облученных электронами C энеpгией 4 Мэ. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 638-642.

Номер

Том 26 № 7 (2000)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають