Магнитополевые и температурные зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных пленках высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d

Автор(и)

  • Ю.В. Федотов Институт физики НАН Украины,пр.Науки,46,г.Киев,03028,Украина
  • С.М. Рябченко Институт физики НАН Украины,пр.Науки,46,г.Киев,03028,Украина
  • Э.А. Пашицкий Институт физики НАН Украины,пр.Науки,46,г.Киев,03028,Украина
  • А.В. Семенов Институт физики НАН Украины,пр.Науки,46,г.Киев,03028,Украина
  • В.И. Вакарюк Институт физики НАН Украины,пр.Науки,46,г.Киев,03028,Украина
  • В.М. Пан Институт металлофизики НАН Украины, пр.Вернадского, 36, г.Киев, 03680, Украина
  • В.С. Флис Институт металлофизики НАН Украины, пр.Вернадского, 36, г.Киев, 03680, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.1468520

Ключові слова:

PACS:74.60.Ge,74.72.Bk,74.76.-w

Анотація

Исследованы магнитополевые (в поле H, приложенном вдоль нормали к плоскости пленки z )и температурные зависимости плотности крити ческого тока jc в высокока чественных эпитаксиальных биаксиально ориентированных пленках YBa2Cu3O7-d с максимальным значением jc, достигающим 2×106 A/см2 в нулевом магнитном поле при T=77 K. Найдено,что величина jc (Hz, T), не зависящая от Hz в области слабых полей Hz < Hm, при Hz > Hm хорошо аппроксимируется зависимостью jc (Hz, T )/jc (0,T)=aln (H*/Hz)в достаточно широкой области 0,95 >jc (Hz, T)/jc (0,T)>0,3. Величина H*=Hme1/a пропорциональна t=1-T/Tc,как минимум,в области температур,для которой проведены измерения,а параметр a почти не зависит от температуры.При этом для образца с наибольшим значением плотности критического тока при Hz ® 0 обнаружен аномально резкий переход от низкополевого плато к логарифмической зависимости. Проведен анализ ряда опубликованных в литературе данных по зависимостям jc (Hz, T)в тонких эпитаксиальных ВТСП пленках и показано, что аппроксимация данного вида применима также к результатам других авторов. При этом, хотя сами величины jc(H=0,t), так же как и значения H*, существенно различаются для пленок, исследованных разными авторами, величины a при аппроксимации их результатов логарифмической зависимостью оказываются весьма близкими друг к другу и к найденным в наших исследованиях. Предложена модель, качественно поясняющая природу обнаруженной зависимости jc (Hz,T), и обсуждены ее основные свойства. Показано, что зависимость, которая хорошо аппроксимируется логарифмической, отвечает механизму, связанному с депиннингом ансамбля вихрей Абрикосова, запиннингованного на краевых дислокациях в малоугловых межблочных границах, которые существуют в тонких эпитаксиальных пленках ВТСП. Резкий переход от плато к логарифмическому участку реализуется, если при H»Hm происходит смена механизма, определяющего плотность критического тока, а именно в том случае, когда при H < Hm прозрачность межблочных границ для сверхпроводящего тока ограничивает величину jc сильнее, чем депиннинг вихрей в слабых полях.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2002-01-23

Як цитувати

(1)
Федотов, Ю.; Рябченко, С.; Пашицкий, Э.; Семенов, А.; Вакарюк, В.; Пан, В.; Флис, В. Магнитополевые и температурные зависимости критического тока в тонких эпитаксиальных пленках высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d. Fiz. Nizk. Temp. 2002, 28, 245-261.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 > >>