Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах

Электpонные свойства металлов и сплавов

Автор(и)

  • Ю. Ф. Комник Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • В. В. Андриевский Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • И. Б. Беркутов Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • С. С. Крячко Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины Украина, 61164, г. Харьков, пр. Ленина 47
  • М. Миронов Deрartment of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK
  • Т. E. Волл Deрartment of Physics, University of Warwick, Coventry, CV4 7AL, UK

Ключові слова:

PACS: 73.20.Fz, 72.20.My

Анотація

Изучены температурные и магнитополевые изменения сопротивления гетеропереходов Si/SiGe с дырочным типом проводимости. Показано, что особенности этих зависимостей связаны с проявлением квантовых интерференционных эффектов - слабой локализацией подвижных носителей заряда и междырочным взаимодействием в двумерной электронной системе. На основании анализа квантовых интерференционных эффектов определена температурная зависимость времени сбоя фазы волновой функции носителей заряда: tj= 6,6╥10 -12 T -1 c.Зависимость tjµT -1 следует рассматривать как проявление процессов междырочного рассеяния в двумерной электронной системе. Выделен вклад в магнитосопротивление эффекта междырочного взаимодействия в куперовском канале и найдена соответствующая константа взаимодействия l 0C ≃ 0,5.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2000-08-10

Як цитувати

(1)
Комник, Ю. Ф.; Андриевский, В. В.; Беркутов, И. Б.; Крячко, С. С.; Миронов, М.; Волл Т. E. Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. 2000, 26, 829-836.

Номер

Том 26 № 8 (2000)

Розділ

Статті