Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593903Ключові слова:
PACS: 74.72.HsАнотація
Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления rc(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T* (T*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T£Tc0 , где Tc0 - температура двумерного сверхпроводящего перехода в теории среднего поля, появление в медь-кислородной плоскости областей с сильными сверхпроводящими флуктуациями приводит к существенной температурной зависимости вероятности туннелирования заряда tc(T) вдоль оси ĉ в нормальном состоянии.
Downloads
Опубліковано
2000-05-10
Як цитувати
(1)
Г. Г. Сергеева, Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 453-456, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593903.
Номер
Розділ
Надпровідність, зокрема високотемпературна
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.