Зарядовое упорядочение в квазидвумерных ВТСП

Анотація

Для квазидвумерных ВТСП обсуждается гипотеза о флуктуационной природе полупроводникового хода сопротивления r_c(T), обусловленной зарядовым упорядочением и сверхпроводящим переходом. При T > T^* (T^*-темпеpатуpа заpядового упоpядочения) - это флуктуации, предшествующие зарядовому упорядочению. При T£T_c0 , где T_c0 - температура двумерного сверхпроводящего перехода в теории среднего поля, появление в медь-кислородной плоскости областей с сильными сверхпроводящими флуктуациями приводит к существенной температурной зависимости вероятности туннелирования заряда t_c(T) вдоль оси ĉ в нормальном состоянии.