Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb1-xSnxSe2

Автор(и)

  • В. И. Белецкий Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • О. А. Гавренко Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • Б. А. Мерисов Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • М. А. Оболенский Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • А. В. Сологубенко Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • Г. Я. Хаджай Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4
  • Х. Б. Чашка Харьковский госудаpственный университет, Укpаина, 310077, г. Харьков, пл. Свободы, 4

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.593583

Ключові слова:

Анотація

Экспериментально исследована теплопроводность lambda (x = 0; 0,15; 0,3; 0,6; T=2-200K ) и электросопротивления rho(0 < or = x < or = 0,5; T = 6-300 K) слоистых кристаллов Nb1-xSnxSe2 в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей rho(T). Отсутствие такого роста lambda (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости rho (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей lambda (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1998-04-10

Як цитувати

(1)
Белецкий, В. И.; Гавренко, О. А.; Мерисов, Б. А.; Оболенский, М. А.; Сологубенко, А. В.; Хаджай, Г. Я.; Чашка, Х. Б. Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb1-xSnxSe2. Fiz. Nizk. Temp. 1998, 24, 360-366.

Номер

Розділ

Низькоpозмірні та невпорядковані системи

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 2 3 4 5 6 7