Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2
Ключові слова:

Downloads
Опубліковано
1982-05-10
Як цитувати
(1)
В. Б. Ефимов and Л. П. Межов-Деглин, Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2, Low Temp. Phys. 8, (1982) [Fiz. Nizk. Temp. 8, 466-476, (1982)].
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.