Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2

Автор(и)

  • В. Б. Ефимов
  • Л. П. Межов-Деглин

Ключові слова:

Опубліковано

1982-05-10

Як цитувати

(1)
В. Б. Ефимов and Л. П. Межов-Деглин, Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2, Low Temp. Phys. 8, (1982) [Fiz. Nizk. Temp. 8, 466-476, (1982)].

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>