Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2

Автор(и)

  • В. Б. Ефимов
  • Л. П. Межов-Деглин

Ключові слова:

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

1982-05-10

Як цитувати

(1)
Ефимов, В. Б.; Межов-Деглин, Л. П. Захват зарядов дефектами, возникающими при охлаждении кристаллов He4 ниже Тпл/2. Fiz. Nizk. Temp. 1982, 8, 466-476.

Номер

Розділ

Статті