Josephson diode effect in asymmetric junctions with nonsinusoidal current–phase relation near Tc

Автор(и)

  • P. V. Sakhniuk Department of Theoretical and Computer Physics named after A. V. Svidzinsky
    Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk 43025, Ukraine
  • O. V. Zamuruieva Department of Theoretical and Computer Physics named after A. V. Svidzinsky
    Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk 43025, Ukraine
  • O. M. Romanchuk Department of Theoretical and Computer Physics named after A. V. Svidzinsky
    Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk 43025, Ukraine
  • V. E. Sakhnyuk Department of Theoretical and Computer Physics named after A. V. Svidzinsky
    Lesya Ukrainka Volyn National University, Lutsk 43025, Ukraine

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0043579

Ключові слова:

Josephson junction, current, anharmonicity, diode effect

Анотація

Теоретично досліджено вплив ангармонічності струмово-фазового співвідношення на властивості джозефсонівських переходів із порушеною просторовою симетрією розподілу густини критичного струму. Розглянуто модель надпровідного тунельного джозефсонівського переходу типу надпровідник ізолятор–надпровідник за умов, коли ефекти розпаровування відіграють суттєву роль, що призводить до специфічної несинусоїдної залежності струму від різниці фаз. Показано, що в наближенні короткого контакту поєднання асиметрії профілю густини критичного струму та ангармонічності струм-фазової залежності є достатньою умовою для виникнення джозефсонівського діодного ефекту. Отримано залежності ефективності діодного ефекту від параметрів ангармонічності та асиметрії. Встановлено, що, на відміну від синусоїдального випадку, розглянута модель демонструє суттєву магнітозалежну невзаємність, яка може слугувати індикатором мікроскопічних механізмів перенесення струму.

Посилання

1. R. A. Hovhannisyan, Phys. Rev. Res. 7, 023279 (2025). https://doi.org/10.1103/v41v-1qjw

2. P. Chen, J. Wang, G. Wang et al, Nanoscale Advances 6, 690 (2024). https://doi.org/10.1039/D3NA00884C

3. A. Kudriashov, X. Zhou, R. A. Hovhannisyan et al, arXiv preprint arXiv:2502.08527 (2025).

4. Yi Zhang, Y. Gu, P. Li et al, Phys. Rev. X 12, 041013 (2022). https://doi.org/10.1103/PhysRevX.12.041013

5. J.-K. Kim, K.-R. Jeon, P. K. Sivakumar et al, Nat. Commun. 15, 1120 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-45298-9

6. M. Trahms, L. Melischek, J. F. Steiner et al, Nature 615, 628 (2023). https://doi.org/10.1038/s41586-023-05743-z

7. A. Malvino, D. Bates, and P. Hoppe, Electronic Principles (McGraw Hill, New York, 2020).

8. M. Nadeem, M. S. Fuhrer, and X. Wang, Nat. Rev. Phys. 5, 558 (2023). https://doi.org/10.1038/s42254-023-00632-w

9. H. Wu, Y. Wang, Y. Xu et al, Nature 604, 653 (2022). https://doi.org/10.1038/s41586-022-04504-8

10. S.−L. Wu, Z.-H. Ren, L. Yang et al, Nano Lett. 25, 17619 (2025). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04336

11. A. Boruah, S. Acharjee, and P. K. Saikia, Phys. Rev. B 112, 054505 (2025). https://doi.org/10.1103/qzq2-f9kv

12. A. A. Golubov, M. Yu. Kupriyanov, and E. Il’ichev, Rev. Mod. Phys. 76, 411 (2004). https://doi.org/10.1103/RevModPhys.76.411

13. G. Nanda, J. L. Aguilera-Servin, P. Rakyta et al, Nano Lett. 17, 3396 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b00097

14. C. Kurter, A. D. Finck, Y. S. Hor, and D. J. Van Harlingen, Nat. Commun. 6, 7130 (2015). https://doi.org/10.1038/ncomms8130

15. E. M. Spanton, M. Deng, S. Vaitiekėnas et al, Nat. Phys. 13, 1177 (2017). https://doi.org/10.1038/nphys4224

16. S. Hart, G. Goldstein, C. Chamon et al, Phys. Rev. B 100, 060508 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.060508

17. S. M. Frolov, D. J. Van Harlingen, V. A. Oboznov et al, Phys. Rev. B 70, 144505 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.144505

18. I. Sochnikov, A. J. Bestwick, J. R. Williams et al, Nano Lett. 13, 3086 (2013). https://doi.org/10.1021/nl400997k

19. M. Kayyalha, A. Kazakov, I. MiotkowskI et al, npj Quantum Mater. 5, 7 (2020). https://doi.org/10.1038/s41535-020-0209-5

20. W. Haberkorn, H. Knauer, and J. Richter, Phys. Status Solidi A 47, K161 (1978). https://doi.org/10.1002/pssa.2210470266

21. O. Y. Pastukh, A. M. Shutovskii, and V. E. Sakhnyuk, Low Temp. Phys. 43, 664 (2017) [Fiz. Nizk. Temp. 43, 835 (2017)]. https://doi.org/10.1063/1.4985972

22. V. Sakhnyuk and V. Holoviy, J. Phys. Stud. 15, 2702 (2011). https://doi.org/10.30970/jps.15.2702

23. O. Y. Pastukh, V. E. Sakhnyuk, and A. V. Svidzinsky, Phys. Lett. A 382, 2149 (2018). https://doi.org/10.1016/j.physleta.2018.05.035

24. V. E. Sakhnyuk and A. V. Svidzinsky, Ukr. J. Phys. 51, 876 (2006).

25. V. E. Sakhnyuk and A. V. Svidzynskyj, Condens. Matter Phys. 9, 169 (2006). https://doi.org/10.5488/CMP.9.1.169

26. M. Y. Kupriyanov, JETP Lett. 56, 414 (1992).

27. Yu. S. Barash, Phys. Rev. B 85, 100503 (2012). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.85.100503

28. A. Shutovskyi, V. Sakhnyuk, and Y. Zolotaryuk, Eur. Phys. J. B 95, 134 (2022). https://doi.org/10.1140/epjb/s10051-022-00397-8

29. A. M. Shutovskyi, V. Sakhnyuk, I. O. Starodub et al, Low Temp. Phys. 51, 596 (2025) [Fiz. Nizk. Temp. 51, 665 (2025)]. https://doi.org/10.1063/10.0036518

30. A. Barone and G. Paterno, Physics and Applications of the Josephson Effect (Wiley, New York, 1982).

Downloads

Опубліковано

2026-03-24

Як цитувати

(1)
P. V. Sakhniuk, O. V. Zamuruieva, O. M. Romanchuk, and V. E. Sakhnyuk, Josephson diode effect in asymmetric junctions with nonsinusoidal current–phase relation near Tc , Low Temp. Phys. 52, 607–612, (2026) [Fiz. Nyzk. Temp. 52, 677–683, (2026)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0043579.

Номер

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.