Умови резонансного тунелювання крізь двобар’єрні структури в графені

Автор(и)

  • В. Є. Cахнюк Волинський національний університет ім. Лесі Українки, Луцьк, 43025, Україна
  • А. М. Шутовський Волинський національний університет ім. Лесі Українки, Луцьк, 43025, Україна
  • С. А. Федосов Волинський національний університет ім. Лесі Українки, Луцьк, 43025, Україна
  • О. В. Замуруєва Волинський національний університет ім. Лесі Українки, Луцьк, 43025, Україна

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0014023

Ключові слова:

графен, потенціальний бар’єр, резонансне тунелювання

Анотація

Досліджено кляйнівське тунелювання діраківських ферміонів крізь симетричний подвійний потенціальний бар’єр прямокутної форми в графені. Для залежності коефіцієнта проходження електронів від кута падіння на межу бар’єра отримано нову аналітичну формулу, на основі якої знайдено умови для кутів падіння зі 100% ймовірністю тунелювання електронів. Показано, що у випадку подвійного потенціального бар’єра маємо три умови резонансного тунелювання, дві з яких аналогічні цим умовам для одного бар’єра, а третя відображає наявність другого бар’єра.

Downloads

Опубліковано

2022-08-25

Як цитувати

(1)
Cахнюк В. Є., А. М. Шутовський, С. А. Федосов, and О. В. Замуруєва, Умови резонансного тунелювання крізь двобар’єрні структури в графені, Low Temp. Phys. 48, (2022) [Fiz. Nyzk. Temp. 48, 913–917, (2022)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0014023.

Номер

Том 48 № 10 (2022)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.