Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0025635Ключові слова:
temperature sensors, epitaxy, diffusion, temperature treatment, distribution of impuritiesАнотація
Продуктивність діодних сенсорів температури залежить від товщини їх збідненої області та профілю розподілу домішок. У цій статті досліджено процес дифузії атомів бору в тонкій області прошарку товщиною близько 1 мкм. Показано, що для запропонованої p+–n–p-структури сенсора температури розподіл домішок в n-області має форму асиметричної параболи, причому крайня точка концентрації зміщена в бік «верхньої» p+-області.
Downloads
Опубліковано
2024-03-26
Як цитувати
(1)
R. R. Bebitov, O. A. Abdulkhaev, D. M. Yodgorova, D. B. Istamov, Sh. M. Kuliyev, A. A. Khakimov, A. B. Bobonazarov, and A. Z. Rakhmatov, Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor, Low Temp. Phys. 50, 418–424, (2024) [Fiz. Nyzk. Temp. 50, 458–464, (2024)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0025635.
Номер
Розділ
Техніка і методи низькотемпературного експерименту
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.