Dependence of the accuracy of the silicon diode temperature sensors for cryogenic thermometry on the spread of their parameters

Анотація

Виготовлено експериментальні зразки кремнієвих діодних датчиків температури для кріогенної термометрії. Досліджено технологічну відтворюваність та розкид технологічних параметрів діодних датчиків температури та їх вплив на параметри цих датчиків температури. Зокрема, встановлено, щo розкид рівня легування базової області у зразках не перевищує 20 %, а розкид товщини базової області становить 3.5 %. Точність вимірювання залежить від розкиду коефіцієнта неідеальності: при кімнатній температурі й робочому струмі 1 мкА зміна значення коефіцієнта неідеальності на 1 % призводить до похибки вимірювання ± 0.35 °C, а зміна на 10 % призводить до похибки вимірювання ± 3.6 °C.