A model for critical current effects in point-contact Andreev-reflection spectroscopy

Анотація

Добре відомо, що мікроконтактна спектроскопія андреєвського відбиття забезпечує надійні вимірювання енергетичної щілини (щілин) у надпровіднику, коли контакт знаходиться в балістичному або дифузійному режимі. Однак, особливо коли довжина вільного пробігу досліджуваного матеріалу мала, отримання балістичних контактів може бути серйозною проблемою. Одним із ознак «максвеллівського» внеску до контактного опору R є наявність «провалів» у диференціальній провідності, пов’язаних із раптовою появою «максвеллівського» члена у зв’язку з досягненням критичного струму матеріалу в контактній області. Тут ми показуємо, що, використовуючи відповідну модель для R(I) досліджуваного матеріалу, можна підігнати експериментальні криві (без необхідності нормалізації) та отримати правильні значення амплітуд щілин навіть за наявності таких провалів, а також температурну залежність критичного струму в контакті. Нами представлено перевірку процедури у випадку спектрів андреєвського відбиття в монокристалах Mg_0,75Al_0,25B₂.