Metal-insulator transition in single crystals Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ

Анотація

У роботі було поставлено мету провести порівняльні дослідження еволюції провідності вздовж та поперек базисної ab-площини в монокристалах Y_1–zPr_zBa₂Cu₃O_7–δ при різному ступені легування празеодимом у широкому інтервалі концентрацій 0 ≤ z ≤ 0,5. Встановлено, що збільшення ступеня допування празеодимом у зразках Y_1–zPr_zBa₂Cu₃O_7–δ призводить до посилення ефектів локалізації, та реалізації в системі переходу метал–діелектрик, який завжди передує надпровідний перехід. Збільшення концентрації празеодиму призводить до суттєвого зміщення точки переходу метал–діелектрик вбік низьких температур.