Quantum magnetoresistance in Si whiskers

Автор(и)

  • A. Druzhinin Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • I. Ostrovskii Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • Yu. Khoverko Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine
  • N. Liakh-Kaguy Department of Semiconductor Electronics, Lviv Polytechnic National University, Lviv 79013, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0004972

Ключові слова:

silicon, whiskers, hopping conductivity, weak localization, spin-orbit interaction.

Анотація

Досліджено електричний магнітоопір легованих нікелем та бором ниткоподібних кристалів кремнію, в яких спостерігається перехід метал-ізолятор. Гігантський магнітоопір досягає 280 % у ниткоподібних кристалах Si з концентрацією легуючої домішки бору р300K = 5·1018–3 у магнітних полях з індукцією до 14 Тл при температурі 4,2 К. Показано, що особливості магнітоопору при низьких температурах обумовлено структурою кристалів «серцевина–оболонка». Природу гігантського магнітоопору розглянуто в рамках квантової моделі магнітоопору. Аналіз проведено для визначення критичного поля переходу від класичного параболічного магнітоопору до квантового магнітоопору, який реалізований у приповерхневій області кристала. Ниткоподібні кристали кремнію використовували для проєктування датчиків магнітного поля.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-04-22

Як цитувати

(1)
Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Y.; Liakh-Kaguy, N. Quantum Magnetoresistance in Si Whiskers. Fiz. Nizk. Temp. 2021, 47, 525-530.

Номер

Розділ

Статті