Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ

Автор(и)

  • Г.Я. Хаджай Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • А.В. Самойлов Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0001249

Ключові слова:

монокристали YВа2Сu3О7–δ, анізотропія провідності, опромінення, термоактивована провідність.

Анотація

Виміряно температурні залежності поздовжньої та поперечної провідності монокристалів YВа2Сu3О7–δ, які опромінено високоенергетичними електронами. Виявлено, що, на відміну від неопромінених монокристалів YВа2Сu3О7–δ, абсолютна величина анізотропії нормального електроопору ρсab значно зменшується при збільшенні кількості структур-них дефектів в об’ємі експериментального зразка. При цьому залежність ρсab(Т) добре описується як за допомогою універсального «закону 1/2», так і звичайним експоненційним виразом для термоактивованої провідності.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2020-04-22

Як цитувати

(1)
Хаджай, Г.; Самойлов, А.; Вовк, Р. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 46, 762-766.

Номер

Розділ

Короткі повідомлення

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 > >>