Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ

Автор(и)

  • Г.Я. Хаджай Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • А.В. Самойлов Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0001249

Ключові слова:

монокристали YВа2Сu3О7–δ, анізотропія провідності, опромінення, термоактивована провідність.

Анотація

Виміряно температурні залежності поздовжньої та поперечної провідності монокристалів YВа2Сu3О7–δ, які опромінено високоенергетичними електронами. Виявлено, що, на відміну від неопромінених монокристалів YВа2Сu3О7–δ, абсолютна величина анізотропії нормального електроопору ρс/ρab значно зменшується при збільшенні кількості структур-них дефектів в об’ємі експериментального зразка. При цьому залежність ρс/ρab(Т) добре описується як за допомогою універсального «закону 1/2», так і звичайним експоненційним виразом для термоактивованої провідності.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2020-04-22

Як цитувати

(1)
Хаджай, Г.; Самойлов, А.; Вовк, Р. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на сверхпроводящий переход и анизотропию электросопротивления монокристаллов YВа2Сu3О7–δ. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 46, 762-766.

Номер

Том 46 № 6 (2020)

Розділ

Короткі повідомлення

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>