Магнитосопротивление композиционных углеродных сенсоров в сильных электрических полях в диапазоне температур жидкого гелия
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4979366Ключові слова:
магнитотранспорт, низкие температуры, сильные электрические поля, сенсор температуры, прыжковая проводимость.Анотація
Исследовано влияние разогрева носителей тока импульсным электрическим полем на проводимость и магнитосопротивление композиционных углеродных резисторов (марки ТВО) в диапазоне температур жидкого гелия. Установлено, что разогрев носителей в полях до 60 В/см при Т = 4,2 К приводит к уменьшению магнитосопротивления примерно в 4 раза при сохранении достаточно высокой температурной зависимости сопротивления. В полях более 400 В/см в диапазоне 4–20 К сопротивление ТВО резистора перестает зависеть от температуры. Результаты объясняются в рамках модели прыжковой проводимости между хаотично сгруппированными углеродными нанозернами. Показана возможность уменьшения погрешности в измерении температуры ТВО резисторами в магнитном поле.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
![](http://fnt.ilt.kharkov.ua/public/journals/1/submission_43_451_en_US.png)
Downloads
Опубліковано
2017-01-23
Як цитувати
(1)
Вайнберг, В.; Пилипчук, А.; Порошин, В.; Филиппов, Ю. Магнитосопротивление композиционных углеродных сенсоров в сильных электрических полях в диапазоне температур жидкого гелия. Fiz. Nizk. Temp. 2017, 43, 451-455.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм