Зарождение и рост ГПУ фазы в гомогенных (Ar) и гетерогенных (Ar–Kr) кластерах по данным электронографии

Автор(и)

  • А.Г. Данильченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • С.И. Коваленко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.П. Конотоп Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.Н. Самоваров Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4904000%20

Ключові слова:

кластер, аргон, криптон, ГЦК–ГПУ переход, дефекты упаковки.

Анотація

Проведено электронографическое исследование зарождения и роста ГПУ фазы в гомогенных (Ar) и гетерогенных (Ar–Kr) кластерах, сформировавшихся в адиабатически расширяющейся сверхзвуковой струе инертных газов. Средний размер исследовавшихся кластеров варьировался от 2∙103 до 1∙105 атомов/кластер. Установлен пороговый размер кластеров, соответствующий появлению в них, наряду с ГЦК, ГПУ структуры. Обнаружено, что относительное содержание ГПУ фазы в монокристаллических кластерах растет с увеличением их размеров. При этом в гетерогенных кластерах относительный объем ГПУ фазы превышает объем в гомогенных кластерах такого же размера. Установлена корреляция между относительным объемом ГПУ фазы в кластерах и числом содержащихся в ГЦК матрице «дефектных» плоскостей, являющихся зародышами ГПУ фазы. Выявлено, что в очень больших (δ ≥ 150 Å) поликристаллических агрегациях доля ГПУ фазы достигает максимального значения и не изменяется при дальнейшем увеличении кластеров. Предложен механизм зарождения и роста ГПУ фазы в кластерах инертных газов.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2014-10-16

Як цитувати

(1)
Данильченко, А.; Коваленко, С.; Конотоп, А.; Самоваров, В. Зарождение и рост ГПУ фазы в гомогенных (Ar) и гетерогенных (Ar–Kr) кластерах по данным электронографии. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 40, 1391-1396.

Номер

Розділ

Фізичні властивості кpіокpисталів

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>