Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние

Автор(и)

  • Е.В. Гнатченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.Н. Нечай Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • А.А. Ткаченко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.Н. Самоваров Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4770519

Ключові слова:

псевдокристаллическое состояние, поляризационное тормозное излучение, кластер, ксенон.

Анотація

Представлены результаты измерений полуширин контура поляризационного тормозного излучения в зависимости от числа атомов в свободных кластерах ксенона W(N). Кластеры возбуждались электронами с энергиями 0,7 и 0,3 кэВ, которые преимущественно зондировали кор и поверхность кластеров соответственно. Оказалось, что зависимости W(N) имеют совершенно разный характер для электронов с энергией 0,7 и 0,3 кэВ. На основе обсуждения этих различий сделан вывод о том, что кристаллический ГЦК кор кластеров в области размеров N ≈ 2000–8000 атомов/кластер (R ≈ 30–50 Å) покрыт некристаллической оболочкой. Рассмотрена природа этого слоя с точки зрения возможности образования стекольного и псевдокристаллического (ПСК) состояний. Впервые для кластеров инертных газов сделан вывод о существовании поверхностного ПСК состояния. В этом состоянии система структурно нестабильна и непрерывно флуктуирует между жидкой и твердотельной фазами.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2012-10-15

Як цитувати

(1)
Гнатченко, Е.; Нечай, А.; Ткаченко, А.; Самоваров, В. Исследование поверхности кластеров ксенона по спектрам поляризационного тормозного излучения: псевдокристаллическое состояние. Fiz. Nizk. Temp. 2012, 38, 1446-1454.

Номер

Розділ

Наноструктури при низьких температурах

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>