O микроволновом отклике эпитаксиальной пленки YBa2Cu3O7-s при низких температурах с применением новой техники измерений

Анотація

Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления R_S(T)высококачественной эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O_7-s монокристаллическую подложку MgO. Измерения проведены в интервале температур от T_c до 2 К с применением новой техники - с использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь высокой чувствительности измерений R_S(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость R_S(T) в интервале температур 2-15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления R_res=R_S(T→0) показывает, что пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и R_res, по-видимому, определяется внутренними свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что R_res (w) ~ w^3/2 для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O_7-s, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления остается невыясненной.