О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП

Автор(и)

  • Г.Г. Сергеева Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина
  • А.А. Сорока Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт" ул. Академическая, 1, г. Харьков, 61108, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2746837

Ключові слова:

псевдощелевое состояние, квантовая диффузия, концентрация допирования, фазовая диаграмма состояний.

Анотація

Обсуждается предположение о том, что в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных (НД) купратных ВТСП при TT* (psh) переход плоскости CuO2 при понижении температуры к металлическому поведению обусловлен квантовой диффузией, предсказанной для "дефектонов" в 1969 г. А.Ф. Андреевым и И.М. Лифшицем. Показано, что особенности псевдощелевого состояния определяются только свойствами CuO2-плоскости и концентрацией допирования psh. Понижение температуры TTAL(psh) приводит к существованию на общей магнитной фазовой диаграмме состояний универсальной линии TAL(psh)≤ 815psh перехода плоскости CuO2 в состояние 2D вихревого металла с подвижными носителями заряда - 2D вихрями, совместимыми с антиферромагнетизмом плоскости CuO2. Построена фазовая диаграмма состояний НД монокристалла YBaCu3Oy с линией TAL(psh) ≤ T* (psh), которая согласуется с известными экспериментальными данными для других НД купратных ВТСП.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2007-07-02

Як цитувати

(1)
Сергеева, Г.; Сорока, А. О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 864-869.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають