Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова

Автор(и)

  • В.М. Дмитриев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • И.В. Золочевский Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Ленина, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.2746835

Ключові слова:

линии проскальзывания фазы, широкие сверхпроводящие пленки, стимуляция сверхпроводимости.

Анотація

Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния широких и тонких оловянных пленок ImP(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные зависимости тока ImP(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для равновесного случая теории Асламазова-Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения абсолютная величина ImP(T) растет, а температурная область стимуляции ImP(T) расширяется в направлении более низких температур.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2007-07-02

Як цитувати

(1)
Дмитриев, В.; Золочевский, И. Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова. Fiz. Nizk. Temp. 2007, 33, 849-854.

Номер

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>