Distribution of impurities in base-depleted region of diode temperature sensor

Автор(и)

  • R. R. Bebitov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • O. A. Abdulkhaev Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • D. M. Yodgorova Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • D. B. Istamov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • Sh. M. Kuliyev Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • A. A. Khakimov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • A. B. Bobonazarov Turin Polytechnic University in Tashkent, Tashkent 100095, Uzbekistan
  • A. Z. Rakhmatov “FOTON” Joint Stock Company, Tashkent 100047, Uzbekistan

Ключові слова:

temperature sensors, epitaxy, diffusion, temperature treatment, distribution of impurities

Анотація

Продуктивність діодних сенсорів температури залежить від товщини їх збідненої області та профілю розподілу домішок. У цій статті досліджено процес дифузії атомів бору в тонкій області прошарку товщиною близько 1 мкм. Показано, що для запропонованої p+–n–p-структури сенсора температури розподіл домішок в n-області має форму асиметричної параболи, причому крайня точка концентрації зміщена в бік «верхньої» p+-області.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2024-03-26

Як цитувати

(1)
Bebitov, R. R. .; Abdulkhaev, O. A. .; Yodgorova, D. M. .; Istamov, D. B. .; Kuliyev, S. M. .; Khakimov , A. A. .; Bobonazarov, A. B. .; Rakhmatov, A. Z. . Distribution of Impurities in Base-Depleted Region of Diode Temperature Sensor. Fiz. Nizk. Temp. 2024, 50, 458–464.

Номер

Том 50 № 5 (2024)

Розділ

Техніка і методи низькотемпературного експерименту

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають