Dependence of the accuracy of the silicon diode temperature sensors for cryogenic thermometry on the spread of their parameters

Автор(и)

  • R. R. Bebitov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • O. A. Abdulkhaev Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • D. M. Yodgorova Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • D. B. Istamov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • G. M. Hamdamov Arifov Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100125, Uzbekistan
  • Sh. M. Kuliyev Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan
  • A. A. Khakimov Physical-Technical Institute of Uzbekistan Academy of Sciences
  • A. Z. Rakhmatov “FOTON” Joint Stock Company, Tashkent 100047, Uzbekistan

Ключові слова:

кріогеніка, датчики температури, вольт-фарадні характеристики, вольт-амперні характеристики, коефіцієнт неідеальності, технологічний розкид

Анотація

Виготовлено експериментальні зразки кремнієвих діодних датчиків температури для кріогенної термометрії. Досліджено технологічну відтворюваність та розкид технологічних параметрів діодних датчиків температури та їх вплив на параметри цих датчиків температури. Зокрема, встановлено, щo розкид рівня легування базової області у зразках не перевищує 20 %, а розкид товщини базової області становить 3.5 %. Точність вимірювання залежить від розкиду коефіцієнта неідеальності: при кімнатній температурі й робочому струмі 1 мкА зміна значення коефіцієнта неідеальності на 1 % призводить до похибки вимірювання ± 0.35 °C, а зміна на 10 % призводить до похибки вимірювання ± 3.6 °C.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2022-12-26

Як цитувати

(1)
Bebitov, R. R.; Abdulkhaev, O. A.; Yodgorova, D. M.; Istamov, D. B.; Hamdamov, G. M.; Kuliyev, S. M.; Khakimov, A. A. .; Rakhmatov, A. Z. Dependence of the Accuracy of the Silicon Diode Temperature Sensors for Cryogenic Thermometry on the Spread of Their Parameters. ФНТ 2022, 49, 277–282.

Номер

Розділ

Техніка і методи низькотемпературного експерименту