Plasmons in semiconductor and topological insulator wires with large dielectric constant

Автор(и)

  • Yi Huang School of Physics and Astronomy, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA
  • Chao-Hsiang Sheu School of Physics and Astronomy, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA
  • B. I. Shklovskii School of Physics and Astronomy, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota 55455, USA

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/10.0010442

Ключові слова:

plasmon dispersion law, dielectric constant, semiconductor and topological insulator wires.

Анотація

Відомо, що закон дисперсії плазмонів, що рухаються по тонких дротах радіусу a, практично лінійний. Показано, що у дротах з діелектричною проникністю κ, набагато більшою ніж діелектрична проникність навколишнього середовища κe, такий закон дисперсії переходить у бездисперсійний тривимірноподібний закон, коли довжина хвилі плазмону стає меншою за довжину (a/2)√ ̅κ̅/̅κ̅e̅l̅n̅(̅κ̅/̅2̅κ̅e̅)̅, при якому силові лінії електричного поля точкового заряду виходять із дроту в навколишнє середовище. Це відбувається як у тривіальних напівпровідникових дротах, так і у дротах тривимірних топологічних ізоляторів.

Downloads

Опубліковано

2022-04-26

Як цитувати

(1)
Yi Huang, Chao-Hsiang Sheu, and B. I. Shklovskii, Plasmons in semiconductor and topological insulator wires with large dielectric constant, Low Temp. Phys. 48, (2022) [Fiz. Nyzk. Temp. 48, 529-534, (2022)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0010442.

Номер

Том 48 № 6 (2022)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають