Large area CdxHg1–xTe photodiode with picosecond response time τRC

Анотація

Наведено конструкцію та технологію виготовлення швидкодійних високоякісних мезафотодіодів Ø 300 мкм зі сполук Cd_xHg_1–xTe для спектрального діапазону 3–5 мкм. Викладено особливості конструкції та технології, а також основні характеристики виготовлених фотодіодів. Показано, що використання напівпрозорого шару нікелю, товщиною 5 нм, осадженого на поверхню n⁺-шару, дозволяє зменшити послідовний опір R_ser до 1–2 Ом і час фотовідповіді τ_RС до 10^–11с.