Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells

Автор(и)

  • P. A. Belevskii Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine
  • M. N. Vinoslavskii Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine
  • V. V. Vainberg Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine
  • O. S. Pylypchuk Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine
  • V. N. Poroshin Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv 03028, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0009296

Ключові слова:

semiconductor heterostructures, coupled quantum wells, impurity band.

Анотація

Досліджено поведінку електричної провідності в одинарних та подвійних тунельно-зв’язаних квантових ямах (КЯ) з різним профілем легування, що викликана впливом короткихімпульсів сильного поздовжнього (у площині квантових ям) електричного поля. Встановлено, що при низьких температурах (4 К) після такого впливу може спостерігатися довготривалий метастабільний стан із підвищеною провідністю у випадку асиметричної пари КЯ з δ-шаром домішки у більш вузькій КЯ. У конструкціях з іншими конфігураціями КЯ цього не спостерігається. Спостережений ефект пояснюється моделлю, що враховує метастабільні зміни в спектрі енергетичних станів електронів у досліджених структурах, які зумовлені дією імпульсів сильного електричного поля.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-12-17

Як цитувати

(1)
Belevskii, P. A.; Vinoslavskii, M. N.; Vainberg, V. V.; Pylypchuk, O. S.; Poroshin, V. N. Resistive Switching Effect in the n-InGaAs/GaAs Heterostructures With Double Tunnel-Coupled Quantum Wells. Fiz. Nizk. Temp. 2021, 48, 176-180.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках