Photoluminescence of Ag8SnSe6 argyrodite
DOI:
https://doi.org/10.1063/10.0008957Ключові слова:
argyrodite, semiconductors, photoluminescence, absorption edge, band gap.Анотація
Представлено базові дослідження низькотемпературної фотолюмінесценції сполуки аргіродиту Ag8SnSe6. Вимірювання проводили на пластинах, вирощених шляхом прямого плавлення високочистої стехіометричної суміші елементарних Ag, Sn та Se у герметичній кварцовій ампулі. У спектрах фотолюмінесценції спостерігаються два піки з максимумами, розташованими за 0,85 та 0,95 еВ. Залежність домінантного піку від температури та збудження за 0,85 еВ свідчить про те, що такий перехід може бути пов’язаний з донорно-акцепторною рекомбінацією. Енергії активації дефектів, що беруть участь у цьому переході, розраховувалися на основі температурних залежностей фотолюмінесценції та вимірювань пропускання. Виявлено, що енергія іонізації знаходиться у вузьких енергетичних межах 44 та 72 меВ для більш дрібних і глибоких дефектів відповідно. Другий пік у спектрах при 0,95 еВ був віднесений до міжзонного переходу між вершинами зон.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2021-11-18
Як цитувати
(1)
Semkiv, I.; Ilchuk, H.; Kashuba, N. Photoluminescence of Ag8SnSe6 Argyrodite. Fiz. Nizk. Temp. 2021, 48, 15-18.
Номер
Розділ
Статті