argyrodite, semiconductors, photoluminescence, absorption edge, band gap.
Анотація
Представлено базові дослідження низькотемпературної фотолюмінесценції сполуки аргіродиту Ag8SnSe6. Вимірювання проводили на пластинах, вирощених шляхом прямого плавлення високочистої стехіометричної суміші елементарних Ag, Sn та Se у герметичній кварцовій ампулі. У спектрах фотолюмінесценції спостерігаються два піки з максимумами, розташованими за 0,85 та 0,95 еВ. Залежність домінантного піку від температури та збудження за 0,85 еВ свідчить про те, що такий перехід може бути пов’язаний з донорно-акцепторною рекомбінацією. Енергії активації дефектів, що беруть участь у цьому переході, розраховувалися на основі температурних залежностей фотолюмінесценції та вимірювань пропускання. Виявлено, що енергія іонізації знаходиться у вузьких енергетичних межах 44 та 72 меВ для більш дрібних і глибоких дефектів відповідно. Другий пік у спектрах при 0,95 еВ був віднесений до міжзонного переходу між вершинами зон.