Biintercalate layered heterostructure: synthesis conditions and physical properties

Автор(и)

  • F. O. Ivashchyshyn Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine
  • V. M. Maksymych Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine
  • T. D. Krushelnytska Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine
  • O. V. Rybak Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine
  • B. O. Seredyuk Hetman Petro Sahaidachnyi National Army Academy, Lviv 79026, Ukraine
  • N. K. Tovstyuk Institute of Applied Mathematics and Fundamental Sciences, Lviv Polytechnic National University Lviv 79013, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0007082

Ключові слова:

biintercalation, layered crystal, nanoscale, nanohybrid, virtual model.

Анотація

Реалізовано біінтеркаляцію шаруватого напівпровідника GaSe сегнетоелектричним та феромагнітним гостьовими компонентами. За рахунок ешелонування гостьових компонентів наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > володіє просторово-масштабною гібридністю, яка зумовлена чергуванням нанорозмірних областей однієї фази з мезо- чи мікророзмірними іншої. Результати досліджень електропровідності методом імпедансної спектроскопії свідчaть про 250-кратне її зростання після біінтеркаляції монокристалу GaSe, що зумовлено делокалізованими носіями струму. Підтвердження суттєвої зміни домішкового енергетичного спектру після біінтеркаляції отримано методом термостимульованого розряду — наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується квазінеперер- вним спектром у всій температурній області вимірювань та релаксацією гетерозаряду. Наногібрид GaSe < NaNO2+FeCl3 > характеризується високим значенням діелектричної проникності при тангенсі кута діелектричних втрат меншому за 1 у високочастотній області спектру, що відкриває перспективу його використання для виготовлення високодобротних радіочастотних конденсаторів. Зміни домішкового енергетичного спектру досліджуються у випадку низьких температур в моделі віртуального кристалу з врахуванням фівазівського закону дисперсії як для зони провідності, так і для двох домішкових зон. Встановлена поява додаткової щілини в спектрі домішкових станів та досліджується її зміна залежно від концентрації різних за природою інтеркалянтів — акцепторного типу та донорного.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2021-10-25

Як цитувати

(1)
Ivashchyshyn, F. O.; Maksymych, V. M.; Krushelnytska, T. D.; Rybak, O. V.; Seredyuk, B. O.; Tovstyuk, N. K. Biintercalate Layered Heterostructure: Synthesis Conditions and Physical Properties. Fiz. Nizk. Temp. 2021, 47, 1165-1172.

Номер

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках