Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond

Автор(и)

  • I.V. Altukhov Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • M. S. Kagan Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • S. K. Paprotskiy Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • N. A. Khvalkovskiy Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of SciencesMoscow125009, Russia
  • N. B. Rodionov Institute of Innovative and Thermonuclear Research, Troitsk 108840, Moscow distr., Russia
  • A. P. Bol’shakov Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia
  • V. G. Ral’chenko Prokhorov General Physics Institute of the Russian Academy of Sciences, Moscow 119991, Russia
  • R. A. Khmel’nitskiy Lebedev Physical Institute of RAS, Moscow 119991, Russia

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0002901

Ключові слова:

single-crystalline diamond, boron acceptors, electric field ionization.

Анотація

У сильному електричному полі (~ 5·105 В/см) досліджено провідність епітаксійних алмазних плівок, які слабколеговані бором. Ідентифіковано механізми провідності в різних полях. Визначено концентрацію вільних носіїв (дірок). Оцінено час рекомбінації дірок на акцепторах бору. Обговорюються механізми іонізації акцепторів бору сильним електричним полем.

Downloads

Опубліковано

2020-11-18

Як цитувати

(1)
Altukhov, I.; Kagan, M. S.; Paprotskiy, S. K.; Khvalkovskiy, N. A.; Rodionov, N. B.; Bol’shakov, A. P.; Ral’chenko, V. G.; Khmel’nitskiy, R. A. Electric Field Ionization of Boron Acceptors in Single-Crystalline Diamond. Fiz. Nizk. Temp. 2020, 47, 83-87.

Номер

Том 47 № 1 (2021)

Розділ

Статті

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.