Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures

Анотація

Експериментально досліджено поздовжній ρ_xx(B, T) та холлівський ρ_xy(B, T) опори в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з одиничними та подвійними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–2.5 Тл та температур T = 1.8–20 К. Показано, що походження температурно-незалежної точки, що знаходиться поблизу ω_cτ ≅ 1 на кривих ρ_xx(B, T), пов’язане зі спільною дією класичного циклотронного руху та квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії. Отримані результати свідчать, що перехід з діелектричної фази у фазу квантового ефекту Холла є кросовером від слабкої локалізації (квантові інтерференційні ефекти в слабкому магнітному полі) до сильної локалізації при квантуванні магнітних полів у режимі квантового ефекту Холла.