Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0000696Ключові слова:
графен, домішка, локальна густина станів.Анотація
Розглядається електронний спектр графену з поодиноким точковим дефектом. Локальні густини станів на домішковому вузлі та на його найближчих сусідах обчислюються аналітично. Вивчається хід їхньої еволюції при збільшенні домішкового потенціалу. Показано, що в області добре визначеного домішкового резонансу локальна густина станів на першому найближчому сусідові домішкового вузла з достатньою точністю є збільшеною копією локальної густини станів на самому домішковому вузлі. Відповідний множник виявляється пропорційним квадрату домішкового потенціалу.
Downloads
Опубліковано
2020-01-22
Як цитувати
(1)
Y.V. Skrypnyk and V.M. Loktev, Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation, Low Temp. Phys. 46, (2020) [Fiz. Nizk. Temp. 46, 316-321, (2020)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0000696.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
