Local spectra at impurity and neighboring sites in graphene: resonance manifestation

Анотація

Розглядається електронний спектр графену з поодиноким точковим дефектом. Локальні густини станів на домішковому вузлі та на його найближчих сусідах обчислюються аналітично. Вивчається хід їхньої еволюції при збільшенні домішкового потенціалу. Показано, що в області добре визначеного домішкового резонансу локальна густина станів на першому найближчому сусідові домішкового вузла з достатньою точністю є збільшеною копією локальної густини станів на самому домішковому вузлі. Відповідний множник виявляється пропорційним квадрату домішкового потенціалу.