Влияние размерного квантования на электронные спектры графеновых нанолент

Автор(и)

  • И.А. Господарев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.И. Гришаев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.В. Манжелий Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • В.А. Сиренко Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • Е.С. Сыркин Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина
  • С.Б. Феодосьев Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина НАН Украины пр. Науки, 47, г. Харьков, 61103, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/10.0000539

Ключові слова:

графенові нанострічки (наносмуги), електронний спектр, розмірне квантування, локальна густина станів.

Анотація

Розраховано та проаналізовано повні густини електронних станів в графенових нанострічках з границями різної хіральності, а також локальні густини електронних станів окремих атомів цих нанострічок. Показано наявність гострих резонансних піків поблизу фермієвського рівня на повних густинах електронних станів графенових наносмуг з zig-zag границями, до того ж ці піки проявляються тільки на локальних густинах атомів тієї підґратки, яка безпосередньо виходить на найближчу границю (тобто, атоми якої відчувають обрив зв’язків). В спектрах графенових наносмуг з границями хіральності armchair, що містять число ліній кратне трьом, або дає при діленні на три остачу один, виникають напівпровідникові щілини, ширина яких залежить тільки від ширини даної нанострічки й однакова для всіх її атомів. Для електронних спектрів графенових наносмуг з границями хіральності armchair, що містять число ліній, яке при діленні на три дає остачу два, характерна металева поведінка, але в цьому випадку на локаль-них густинах станів атомів ряду ліній таких наносмуг спостерігаються напівпровідникові щілини.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2019-12-21

Як цитувати

(1)
Господарев, И.; Гришаев, В.; Манжелий, Е.; Сиренко, В.; Сыркин, Е.; Феодосьев, С. Влияние размерного квантования на электронные спектры графеновых нанолент. Fiz. Nizk. Temp. 2019, 46, 231-240.

Номер

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

<< < 1 2 3 4 5 > >>