Resonant surface scattering and dislocation flutter explain Kapitza resistance at a solid/solid 4He interface
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.5121269Ключові слова:
опір Капіци, квантовий кристал, інтерфейс.Анотація
Досліджено опір Капіци RK на інтерфейсі між класичним твердим тілом і квантовим кристалом 4He як функція температури. Зроблено припущення, що RK базується на комбінації двох окремих механізмів, що відбуваються одночасно. Завдяки тому факту, що довжини хвиль фононів у твердому та надплинному 4He є величинами одного порядку, припускається, що один з механізмів — це резонансне розсіювання фононів на наномасштабних нерівностях поверхні, як передбачили Адаменко та Фукс (АФ) [1] для інтерфейсів тверде тіло/надплинний гелій. Інший механізм враховує взаємодію термічних фононів з коливаннями мобільних дислокацій усередині твердого 4He. Представлений аналіз демонструє правдоподібність цих двох механізмів у вирішенні давньої проблеми аномалії опору Капіци для контакту твердого 4He з міддю в температурному інтервалі від 0,4 до 2 К.
Downloads
Опубліковано
2019-07-17
Як цитувати
(1)
Jay Amrit, Resonant surface scattering and dislocation flutter explain Kapitza resistance at a solid/solid 4He interface, Low Temp. Phys. 45, (2019) [Fiz. Nizk. Temp. 45, 1165-1171, (2019)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5121269.
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.