Влияние двухуровневых дефектов в открытой копланарной линии на передачу микроволнового сигнала

Автор(и)

  • Е.А. Муценик Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • А.Н. Султанов Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • И.Л. Новиков Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • Б.И. Иванов Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • А.Г. Вострецов Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия
  • Е.В. Ильичев Новосибирский государственный технический университет пр. К. Маркса, 20, г. Новосибирск, 630073, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5093518

Ключові слова:

надпровідниковий чвертьхвильовий резонатор, дворівневі дефекти, добротність зв’язку.

Анотація

Мікрохвильові надпровідникові квантові ланцюги підпадають під сильний вплив різноманітних дефектів, які неминучі в процесі виробництва. У цій роботі представлено новий метод вимірювання втрат у відкритій лінії передачі. Ця лінія за допомогою ємнісного зв’язку взаємодіє з копланарним чвертьхвильовим резонатором, який використовується для вивчення втрат у ній. Досліджено залежності втрат від потужності та від температури (в мілікельвіновом діапазоні). Показано, що основну частину втрат у лінії передачі обумовлено взаємодією мікрохвильового поля з дефектами, які ефективно описуються дворівневими системами.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2019-02-19

Як цитувати

(1)
Муценик, Е.; Султанов, А.; Новиков, И.; Иванов, Б.; Вострецов, А.; Ильичев, Е. Влияние двухуровневых дефектов в открытой копланарной линии на передачу микроволнового сигнала. Fiz. Nizk. Temp. 2019, 45, 457-462.

Номер

Том 45 № 4 (2019)

Розділ

Надпровідність, зокрема високотемпературна