Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ

Автор(и)

  • Н.A. Aзaренков Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • В.Н. Вoeвoдин Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • Р.В. Вовк Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина
  • Г.Я. Хаджай Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина, пл. Свободы, 4, г. Харьков, 61022, Украина

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.5049172

Ключові слова:

ВТСП, электрическое сопротивление, облучение, электроны, фононы, температура Дебая, сверхпроводящий переход.

Анотація

Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 1018 cм−2) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.

Downloads

Опубліковано

2018-06-19

Як цитувати

(1)
Aзaренков Н.; Вoeвoдин В.; Вовк, Р.; Хаджай, Г. Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ. Fiz. Nizk. Temp. 2018, 44, 1100-1103.

Номер

Том 44 № 8 (2018)

Розділ

Короткі повідомлення

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>