Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.5049172Ключові слова:
ВТСП, электрическое сопротивление, облучение, электроны, фононы, температура Дебая, сверхпроводящий переход.Анотація
Исследовано влияние облучения электронами при T ≲ 10 К (энергия 0,5–2,5 MэВ, доза 1018 cм−2) на параметры рассеяния носителей заряда и характеристики сверхпроводящего перехода в оптимально допированном монокристалле Y–Ba–Cu–O (Тс = 91,74 К). Облучение электронами приводит к значительному возрастанию остаточного сопротивления и температуры Дебая. Последнее обусловлено изотропизацией фононного спектра из-за возрастания концентрации дефектов. Облучение приводит также к уменьшению Тс и увеличению длины когерентности.
Downloads
Опубліковано
2018-06-19
Як цитувати
(1)
Aзaренков Н.A., Вoeвoдин В.Н., Р.В. Вовк, and Г.Я. Хаджай, Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa2Cu3O7−δ, Low Temp. Phys. 44, (2018) [Fiz. Nizk. Temp. 44, 1100-1103, (2018)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.5049172.
Номер
Розділ
Короткі повідомлення
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.