Микроволновый отклик полого резонатора с тонкой сверхпроводящей пленкой в зависимости от температуры и ориентации пленки

Анотація

Дается обоснование предложенной версии о природе ранее обнаруженной особенности в температурной зависимости микроволновых потерь в полом резонаторе с тонкой сверхпроводящей пленкой халькогенида FeSe_1–xTe_x, расположенной перпендикулярно магнитному полю резонатора. Эксперимент с пленкой при ее параллельной ориентации по отношению к полю показывает отсутствие особенности. Появление особенности в области Т ≤ T_c при параллельной ориентации пленки объясняется изменением ориентации и распределения поля в пленке при изменении температуры. Сравнение экспериментальных данных с результатами анализа теоретической модели, не учитывающей изменение поля в пленке, показывает, что модельное представление можно использовать при микроволновых импедансных исследованиях пленок с перпендику-лярной ориентацией в интервале температур от низких до ∼ 2T_c / 3. Получены также соотношения для эффективного поверхностного импеданса сверхпроводящих пленок в N-состоянии, которые необходимы при по-строении зависимости эффективного импеданса от температуры в интервале, включающем T_c