Об эквивалентности двух моделей вакансии в применении к электронному спектру материалов с сотовой решеткой

Анотація

На основе метода сильной связи рассмотрена задача о функции Грина для содержащего вакансию материала с сотовой структурой кристаллической решетки. Проанализированы известные и сравнительно часто используемые модели для описания единичной вакансии и аналитически продемонстрирована их эквивалентность. Показано также, что вклады в плотность квазичастичных состояний от обеих подрешеток сотовой решетки совершенно одинаковы, за исключением нулевой энергии, независимо от того, в какой из подрешеток находится вакансия.