Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации

Автор(и)

  • К.Ш. Шункеев Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • Н.Н. Жантурина Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • З.К. Аймаганбетова Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • А.А. Бармина Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • Л.Н. Мясникова Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • Ш.Ж. Сагимбаева Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан
  • Д.М. Сергеев Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова пр. А. Молдагуловой, 34, Актобе, 030000, Казахстан

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4960008%20

Ключові слова:

KI–Tl, автолокализованный экситон, низкотемпературная деформация, рентгенолюминесценция, свободный пробег, потенциальный барьер.

Анотація

В кристалле KI–Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (π-компонент; 3,3 эВ) в зависимости от степени низкотемпературной деформации показывает, что в кристалле KI–Tl (3·10–3 моль%) длина свободного пробега экситона до автолокализации соизмерима с межталлиевым расстоянием (20–27)a при деформации ε = 2%, а c ростом степени сжатия ε ≥ 2–5% уменьшается до (27–5,35)a. Результаты моделирования на основе континуального приближения показывают, что с ростом температуры и степени низкотемпературной деформации происходит уменьшение высоты потенциального барьера для автолокализации экситона, что согласуется с сокращением длины пробега свободного экситона в кристалле KI–Tl.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2016-05-18

Як цитувати

(1)
Шункеев, К.; Жантурина, Н.; Аймаганбетова, З.; Бармина, А.; Мясникова, Л.; Сагимбаева, Ш.; Сергеев, Д. Специфика излучательной аннигиляции автолокализованных экситонов в кристалле KI–Tl при низкотемпературной деформации. Fiz. Nizk. Temp. 2016, 42, 738-742.

Номер

Розділ

Статті