Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4938520%20Ключові слова:
электронный топологический переход, линии вырождения зон, магнитная восприимчи-вость, бериллий.Анотація
Проведен анализ известных из литературы экспериментальных данных по температурной зависимости магнитной восприимчивости бериллия. Показано, что эта зависимость может быть объяснена, если учесть, что в бериллии вблизи уровня Ферми имеется точка электронного топологического перехода 3½ рода.
Downloads
Опубліковано
2015-10-16
Як цитувати
(1)
Г.П. Микитик and Ю.В. Шарлай, Электронный топологический переход 3½ рода в бериллии, Low Temp. Phys. 41, (2015) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 1276-1282, (2015)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4938520 .
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.