Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Автор(и)

  • Д.А. Козлов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск, 630090, Россия
  • З.Д. Квон Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск, 630090, Россия
  • М.Л. Савченко Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, 630090,Россия
  • D. Weiss Experimental and Applied Physics, University of Regensburg, Regensburg D-93040, Germany
  • Н.Н. Михайлов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск, 630090, Россия
  • С.А. Дворецкий Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, г. Новосибирск, 630090, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.4908198%20

Ключові слова:

трехмерный топологический изолятор, теллурид ртути, магнитотранспорт, квантовый эффект Холла.

Анотація

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4∙105 см2/В∙с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствиеналичия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2014-12-18

Як цитувати

(1)
Козлов, Д.; Квон, З.; Савченко, М.; Weiss, D.; Михайлов, Н.; Дворецкий, С. Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 41, 109-118.

Номер

Том 41 № 2 (2015)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають