Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР 19F в ван-флековском парамагнетике EuF3
DOI:
https://doi.org/10.1063/1.4906337%20Ключові слова:
ван-флековской парамагнетизм, спин-решеточная релаксация, кристаллическое поле.Анотація
В порошковом образце ван-флековского парамагнетика EuF3 в широком диапазоне температур (55–300 К) измерена температурная зависимость скорости ядерной спин-решеточной релаксации 19F. Наблюдаемоепри T > 100 К увеличение скорости ядерной релаксации обусловлено флуктуациями магнитных полей, индуциируемых на ядрах фтора магнитными моментами ионов европия с временем жизни, определяемым двухфононными процессами релаксации с участием первого возбужденного состояния электронной оболочки ионов Eu3+ (Δ1 = 370 К). Набор параметров кристаллического поля, позволяющий удовлетворительно описать электронный энергетический спектр иона Eu3+ в кристалле EuF3, вычислен в рамкахполуфеноменологической модели обменных зарядов.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.
Downloads
Опубліковано
2014-11-19
Як цитувати
(1)
Савинков, А.; Дуглав, А.; Малкин, Б.; Тагиров, М.; Кораблева, С. Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР 19F в ван-флековском парамагнетике EuF3. Fiz. Nizk. Temp. 2014, 41, 75-80.
Номер
Розділ
Статті