Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР 19F в ван-флековском парамагнетике EuF3
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.4906337%20Ключові слова:
ван-флековской парамагнетизм, спин-решеточная релаксация, кристаллическое поле.Анотація
В порошковом образце ван-флековского парамагнетика EuF3 в широком диапазоне температур (55–300 К) измерена температурная зависимость скорости ядерной спин-решеточной релаксации 19F. Наблюдаемоепри T > 100 К увеличение скорости ядерной релаксации обусловлено флуктуациями магнитных полей, индуциируемых на ядрах фтора магнитными моментами ионов европия с временем жизни, определяемым двухфононными процессами релаксации с участием первого возбужденного состояния электронной оболочки ионов Eu3+ (Δ1 = 370 К). Набор параметров кристаллического поля, позволяющий удовлетворительно описать электронный энергетический спектр иона Eu3+ в кристалле EuF3, вычислен в рамкахполуфеноменологической модели обменных зарядов.
Downloads
Опубліковано
2014-11-19
Як цитувати
(1)
А.В. Савинков, А.В. Дуглав, Б.З. Малкин, М.С. Тагиров, and С.Л. Кораблева, Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР 19F в ван-флековском парамагнетике EuF3, Low Temp. Phys. 41, (2014) [Fiz. Nizk. Temp. 41, 75-80, (2014)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4906337 .
Номер
Розділ
Статті
Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.