Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии примесей лантана

Автор(и)

  • МirHasan Yu. Seyidov Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • Rauf A. Suleymanov Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • Elif Acar Department of Physics, Gebze Institute of Technology, Gebze 41400, Kocaeli, Turkey
  • А.П. Одринский Институт технической акустики НАН Беларуси, пр. Людникова, 13, г. Витебск, Беларусь
  • Т.Г. Мамедов Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан
  • А.И. Наджафов Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан
  • В.Б. Алиева Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, г. Баку, AZ-1143, Азербайджан

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4896726%20

Ключові слова:

фазовые переходы, несоизмеримая фаза, фотоактивированная примесь, электретная поляризация.

Анотація

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS2. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS2:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.

Downloads

Опубліковано

2014-07-16

Як цитувати

(1)
Seyidov МirHasan Yu., Rauf A. Suleymanov, Elif Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, and В.Б. Алиева, Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS2 в присутствии примесей лантана, Low Temp. Phys. 40, (2014) [Fiz. Nizk. Temp. 40, 1062-1070, (2014)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4896726 .

Номер

Том 40 № 9 (2014)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.