Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке

Автор(и)

  • З.З. Алисултанов Институт физики им. И.М. Амирханова ДагНЦ РАН, ул. М. Ярагского, 94, г. Махачкала, 367003, Россия
  • Н.А. Мирзегасанова 2Дагестанский государственный университет, г. Махачкала, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.4878124%20

Ключові слова:

эпитаксиальный графен, термоэдс, проводимость, модель Давыдова.

Анотація

В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена воз-растает до гигантских значений 200 мкВ·К–1, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К–1).

Downloads

Опубліковано

2014-03-17

Як цитувати

(1)
З.З. Алисултанов and Н.А. Мирзегасанова, Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке, Low Temp. Phys. 40, (2014) [Fiz. Nizk. Temp. 40, 590-594, (2014)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.4878124 .

Номер

Том 40 № 5 (2014)

Розділ

Наноструктури при низьких температурах

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.