Электросопротивление интерфейса ВТСП-нормальный металл

Анотація

Аналитически показано, что удельное электросопротивление ρ приконтактного слоя дырочного ВТСП, граничащего с металлом Ме с электронной проводимостью, является немонотонной функцией расстояния от интерфейса. Максимальное значение ρ соответствует ρ_AF ВТСП в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии на расстоянии x, где разность концентраций фермиевских «гостевых» электронов и «аборигенных» дырок n_f^е(x) – n_f^h = 0. При условии n_f^е = соnst величина контактного сопротивления r_c интерфейса ВТСП/Ме может быть индикатором изменений n_f^h, в частности, температурных. Для оптимально и слабодопированных двухфазных висмутовых керамик BiSrPbCaCuO измерены темпера- турные зависимости r_c(Т) интерфейсов ВТСП/Pb и ВТСП/In. Их особенности соответствуют концепции локальных пар, существующих в псевдощелевой фазе до температуры распаривания, представлению о флуктуационной сверхпроводимости, а также переходу в сверхпроводящее состояние.