Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия

Анотація

Описан механизм нарушения устойчивости электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия при прижимающих электрических полях, меньших поля полной компенсации заряда. В рамках одноэлектронной модели и квазиклассического приближения получена зависимость параметра устойчивости электронного кристалла как функции внешнего прижимающего поля. Показано, что при сколь угодно слабой «недокомпенсации» внешнего поля электроны уходят с поверхности гелия как термоактивационным путем, так и посредством туннелирования. Вклад туннелирования резко возрастает при увеличении концентрации электронов. На основе предложенной модели дается объяснение экспериментальных результатов, полученных при измерении электрических свойств электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия.