Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия

Теория электронных свойств

Автор(и)

  • А.М. Дюгаев Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, 142432, Московская обл., Россия
  • П.Д. Григорьев Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН, Черноголовка, 142432, Московская обл., Россия
  • Е.В. Лебедева Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, 142432, Московская обл., Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3665872

Ключові слова:

низкие температуры, отрицательные ионы, растворы жидкого гелия.

Анотація

Определены свойства электронных пузырьков, прижатых силами электростатического изображения к границе раздела жидкого 3He с насыщенным раствором 4He–3He в области низких температур. Равновесное состояние таких объектов характеризуется энергией связи 6,5 К и осцилляторным спектром первых возбуждений с частотой 0,6·1010 с–1. Смещающее электрическое поле E = 100 В/cм при температуре T = 0,2 К приводит к распаду связанного пузырькового состояния со временем жизни τ ≈ 1 с. Экспериментальное изучение пузырьковых электронных состояний может оказаться полезным для определения свойств границы раздела растворов жидкого гелия.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2011-08-22

Як цитувати

(1)
Дюгаев, А.; Григорьев, П.; Лебедева, Е. Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия: Теория электронных свойств. Fiz. Nizk. Temp. 2011, 37, 1008-1010.

Номер

Том 37 № 9-10 (2011)

Розділ

Статті