Оптика полупроводников с линейным электронным спектром

Автор(и)

  • Л.А. Фальковский Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, г. Москва, 119334, Россия

DOI:

https://doi.org/10.1063/1.3615524

Ключові слова:

графен, 3D полупроводники, линейный электронный спектр

Анотація

Рассмотрена частотная дисперсия диэлектрической проницаемости графена и 3D полупроводников с узкой запрещенной зоной в области частот, бóльших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости, в зависимости от температуры и концентрации носителей. Линейность электронного спектра в широкой энергетической области, общая черта этих материалов, приводит к аномально большой величине диэлектрической постоянной 3D полупроводников, а при их легировании к логарифмической сингулярности на пороге поглощения у вещественной части диэлектрической функции. Для графена коэффициент прохождения света в оптической области определяется постоянной тонкой структуры квантовой электродинамики и не зависит от каких-либо свойств самого графена.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Опубліковано

2011-04-20

Як цитувати

(1)
Фальковский, Л. Оптика полупроводников с линейным электронным спектром. Fiz. Nizk. Temp. 2011, 37, 603-608.

Номер

Розділ

Електронні властивості провідних систем