Особенности температурных и магнитополевых зависимостей критической плотности тока вблизи критической температуры в тонких пленках YBa2Cu3O7–δ

Анотація

Методом динамической магнитной восприимчивости исследована температурная зависимость критической плотности сверхпроводящего тока j_c(t) ( t = (1−T/T_c ), T_c — критическая температура) двух тонких эпитаксиальных c -ориентированных пленок YBa₂Cu₃O_7–δ, выращенных на подложках LaAlO₃ и SrTiO₃. В обоих образцах в области температур от 77 К до T_c зависимость j_c(t) имеет два участка со степенными зависимостями j_c ~ t^3/2 и j_c ~ t² с кроссовером между ними. Проведены измерения температурных зависимостей динамической скорости релаксации Q(t) (крипа магнитного потока), которые оказались несвязанными с наблюдаемыми кроссоверами. Показано, что наблюдаемые особенности j_c(t) не обусловлены ограничением плотности критического тока распаривания в междислокационных промежутках межблочных границ тонких эпитаксиальных пленок YBa₂Cu₃O_7–δ, как это предполагалось ранее. На основании численных расчетов показано, что существование кроссоверов и обнаруженного в одном из образцов нарушения H / t -скейлинга ( H — постоянное магнитное поле) в магнитополевых зависимостях j_c (t, H) вблизи T_c можно объяснить проявлением макроскопической неоднородности образцов по локальным значениям критической температуры T_c (T_c -неоднородность). Отсутствие наблюдаемого нарушения H / t -скейлинга во втором образце объяснено меньшей шириной распределения по T_c в нем по сравнению с первым образцом.